一种半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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一种半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，属于功率半导体技术领域。所述的半导体器件由多个结构相同的元胞以叉指方式连接形成，所述的元胞结构包括第二导电类型衬底、第一导电类型轻掺杂外延层、扩散第二导电类型阱区、绝缘介质槽、第一导电类型耗尽型沟道区、具有第一导电类型的第一、第三重掺杂区，具有第二导电类型的第二重掺杂区、氧化介质层、金属阴极和金属阳极。本发明通过引入绝缘介质槽，不仅提升器件击穿电压，并且在槽底部与衬底之间形成新的横向沟道，起到优化恒流特性，提升动态阻抗的功能，可极大增强输出电流的稳定性。通过

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110518064 A (43)申请公布日 2019.11.29 (21)申请号 20191