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半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-16 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底；外延层，位于所述衬底的上表面；沟槽，沿厚度方向贯穿所述外延层；氧化层，位于所述沟槽的侧壁及底部；位于所述沟槽底部的氧化层的厚度大于位于所述沟槽侧壁的氧化层的厚度；栅极，位于所述氧化层的上表面，且填满所述沟槽。本申请提供的半导体结构能够改善沟槽型SiCMOSFET沟槽底部栅氧化层边缘的电场强度过大问题，从而防止击穿以提高器件的可靠性。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115621120 A (43)申请公布日 2023.01.17 (21)申请号 202211618916.4 (22)申请日 2022.12.16 (71)申请人 广东芯粤能半导体有

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