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本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种氧化镓二极管器件及其制备方法，该制备方法包括：在氧化镓外延层上制备预设图案的介质掩膜层；以水平面为基准，将氧化镓衬底分别向两个相反的方向旋转第一倾斜角度和第二倾斜角度，对位于介质掩膜层覆盖的的氧化镓外延层进行刻蚀，第一倾斜角度和第二倾斜角度均小于90°；在氧化镓外延层和介质掩膜层上制备预设形状的聚酰亚胺层；去除介质掩膜层，在氧化镓外延层上与介质掩膜层对应的区域，以及在所述聚酰亚胺层上靠近所述介质掩膜层的区域上表面形成NiO层；在NiO层上形成第一电极
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114743875 A
(43)申请公布日 2022.07.12
(21)申请号 202210470510.X
(22)申请日 2022.04.28
(71)申请人 中国电子科技集团公司第十三研究
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