一种深沟道半导体器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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一种深沟道半导体器件及其制作方法.pdf

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本发明公开了一种深沟道半导体器件及其制作方法，包括衬底，位于衬底一侧的外延层，位于外延层中的多个沟槽，沟槽包括第一沟槽和多个第二沟槽，第一沟槽包括沿第一方向延伸，沿第二方向排列的第一沟槽分部以及沿第二方向延伸，沿第一方向排列的第二沟槽分部，第一方向和第二方向相交且均与衬底所在平面平行，第二沟槽位于第一沟槽的限定区域内，位于第一沟槽内的控制栅极以及位于第二沟槽内的辅助栅极，设置第一沟槽分部与第二沟槽分部相交，形成多个限定区域，进而通过将第二沟槽位于第一沟槽的限定区域内，可以在保证电耦平衡的同时将垂

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116013973 A (43)申请公布日 2023.04.25 (21)申请号 202310028562.6 (22)申请日 2023.01.09 (71)申请人恒泰柯半导体（