原创力文档- 7
- 0
- 约2.01万字
- 约 15页
- 2023-05-17 发布于四川
- 举报
本发明公开了一种基于P型区的异质结势垒肖特基二极管及其制备方法，该二极管自下而上依次包括阴极、n+‑Ga2O3衬底层、n‑‑Ga2O3漂移层、P型区、阳极，其中，所述n‑‑Ga2O3漂移层的上表面设有若干多阶斜槽形结构，所述P型区位于所述多阶斜槽形结构内；所述阳极位于所述n‑‑Ga2O3漂移层和所述P型区上方。其中，P型区采用氮化镓材料。本发明通过采用多阶斜槽结构形成P型区，增大了P型区与漂移层的接触面积，使得pn结对电场的调制作用更加明显，利用产生的横向PN结分散肖特基结边缘处的电场，使器件具
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823922 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210190201.7 H01L 21/329 (2006.01)
(22)申请
文档评论（0）