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半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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半导体装置及其制造方法.pdf

    一种半导体装置及其制造方法，包含提供自基板延伸的鳍片，其中鳍片包含外延层堆叠，外延层堆叠具有由多个虚置层穿插的多个半导体通道层。在一些实施例中，此方法更包含移除半导体装置的源极/漏极区之内的外延层堆叠的一部分以形成沟槽于源极/漏极区中，沟槽露出半导体通道层以及虚置层的多个横向表面。在形成沟槽之后，在一些示例中，此方法更包含执行虚置层凹蚀制程以横向地蚀刻虚置层的多个末端并沿着沟槽的侧壁形成多个第一凹槽。在一些实施例中，此方法更包含沿着半导体通道层露出的横向表面以及第一凹槽之内顺应地形成盖层。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823525 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210202192.9 (22)申请日 2022.03.03 (30)优先权数据 63/200,434 2021

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