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一种低寄生电感和高散热效率的埋入式功率模块封装结构.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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一种低寄生电感和高散热效率的埋入式功率模块封装结构.pdf

    本发明涉及功率半导体器件封装技术领域，旨在提供一种低寄生电感和高散热效率的埋入式功率模块封装结构。包括由上至下依次布置的顶部绝缘层、顶部金属图案层、焊料层、器件层、底部金属图案层和底部绝缘层；器件层包括至少两个MOSFET功率芯片和若干个金属连接块，并以绝缘填料填充于MOSFET功率芯片和金属连接块之间，使其相互隔离；功率芯片的漏极通过焊料层与顶部金属图案层相接，其源极和栅极分别与底部金属图案层电连接；金属连接块的上下表面分别与顶部金属图案层和底部金属图案层电连接。本发明通过将功率芯片嵌入于绝缘

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823644 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210221535.6 H01L 23/31 (2006.01) (22)申请日 2022.03.

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