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制造半导体装置的方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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制造半导体装置的方法.pdf

    提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在下结构上形成堆叠且交替的层间绝缘层和牺牲层的模制结构；形成穿过模制结构的孔；通过从牺牲层的侧表面去除牺牲层的通过孔暴露的部分来分别在模制结构的牺牲层中形成凹陷区域；在每个凹陷区域中顺序地形成初始阻挡图案和电荷存储图案；在孔中顺序地形成隧穿层和沟道层；形成穿透模制结构的沟槽，使得沟槽以线形状延伸；去除由沟槽暴露的牺牲层，使得初始阻挡图案被暴露；以及在去除牺牲层之后氧化初始阻挡图案，从而形成阻挡图案。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116017982 A (43)申请公布日 2023.04.25 (21)申请号 202211265544.1 H10B 43/27 (2023.01) (22)申请日 2022.10.

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