电子器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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电子器件包括一对耗尽栅极、累积栅极和导电谐振器。耗尽栅极彼此间隔开。累积栅极位于耗尽栅极上方。导电谐振器位于耗尽栅极和累积栅极上方。导电谐振器包括第一部分、第二部分和第三部分。第一部分和第二部分位于累积栅极的相对侧上。第三部分互连导电谐振器的第一部分和第二部分,并且横跨耗尽栅极。导电谐振器的第一部分的底面低于累积栅极的底面。本申请的实施例还涉及制造电子器件的方法。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823881 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210192592.6 (22)申请日 2022.03.01 (30)优先权数据 63/166,089 2021

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