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一种半导体器件封装结构中单区域热阻提取方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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一种半导体器件封装结构中单区域热阻提取方法.pdf

    本发明提供了一种半导体器件封装结构中单区域热阻提取方法，步骤包括：制备热阻待提取区域采用不同材料或工艺的半导体器件样品1和样品2；测试样品1、样品2的热阻分别得到积分结构函数，并获得各自结壳热阻坐标(x1,y1)和(x1´,y1´)；对比样品1与样品2的积分结构函数曲线，得到两条积分结构函数曲线的分离点(x2,y2)；对其中样品1的积分结构函数曲线平移使其原(x1,y1)坐标和样品2积分结构函数曲线坐标点(x1´,y1´)重合，得到平移后样品1与样品2积分结构函数曲线的分离点坐标(x3,y3)；

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114813825 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210369018.3 (22)申请日 2022.04.08 (71)申请人 南昌大学 地址

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