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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明提供了一种硅基薄膜、太阳电池及其制备方法,硅基薄膜的制备方法包括如下步骤:对基底进行预热;将预热后的所述基底置于沉积腔室内,向所述沉积腔室内充入氢气和惰性气体,触发辉光放电,然后向所述沉积腔室内充入反应气体在所述基底上沉积形成硅基薄膜。通过在辉光放电之前,在沉积腔室内引入氢气和惰性气体,启动辉光后通过惰性气体与氢气相互作用,增强气体分子的碰撞频率,激发出丰富的亚稳态原子氢,从而大幅度地降低薄膜中的悬挂键密度、降低缺陷态,进而提高硅基薄膜的质量;惰性气体的加入还可以加速反应气体的分解,提高反
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823302 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210320702.2 C23C 16/24 (2006.01)
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