1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管及制备方法.pdfVIP

  • 9
  • 0
  • 约1.95万字
  • 约 13页
  • 2023-05-17 发布于四川
  • 举报

基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管及制备方法.pdf

    本发明公开了一种基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管及其制备方法，该二极管自下而上依次包括：阴极、n+‑Ga2O3衬底层、n‑‑Ga2O3漂移层、阳极，其中，n‑‑Ga2O3漂移层和阳极接触面上设有若干重掺杂P型岛；重掺杂P型岛下方对应设有若干轻掺杂P型区，以与n‑‑Ga2O3漂移层形成超结结构；其中，重掺杂P型岛和轻掺杂P型区均采用氮化镓材料。本发明提供的基于P型岛和超结结构的混合PIN肖特基二极管采用了若干重掺杂P型岛结构，并在其下方引入了轻掺杂P型区域，形成超结结构，通过耗尽肖特基

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823925 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210192802.1 H01L 21/329 (2006.01) (2

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >