一种光子级联型边发射半导体激光器及制备方法.pdfVIP

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2023-05-17 发布于四川
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一种光子级联型边发射半导体激光器及制备方法.pdf

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本发明公开了一种光子级联型边发射半导体激光器及制备方法，包括：激光巴条，激光巴条包括有源区、设置在有源区两侧且掺杂有相同的一种或多种稀土元素的N型Alx1Ga1‑x1As下波导层和P型Alx2Ga1‑x2As上波导层，有源区产生激光λ1，稀土元素作为受激光λ1激发而产生激光λ2的增益介质；激光巴条的前腔面上依次设有第一高反膜和增透膜、后腔面上依次设有第一高反膜和第二高反膜，第一高反膜对激光λ1高反射，第二高反膜对激光λ2高反射，增透膜对激光λ2透射。本发明可兼顾固体激光器可产生窄线宽、脉冲光以及

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116014563 A (43)申请公布日 2023.04.25 (21)申请号 202211678191.8 (22)申请日 2022.12.26 (71)申请人北京工业大学地址 1