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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明公开了一种湿法腐蚀晶体硅倒金字塔结构和正金字塔结构制绒方法，属于新材料与太阳能技术领域，包括如下步骤：(1)将表面清洁的晶体硅片放入含有处理液的容器中；(2)在20℃下反应10分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米倒金字塔结构绒面；(3)在20℃下反应20分钟即可在硅片表面腐蚀出大面积微纳米正金字塔结构绒面；(4)将腐蚀后的硅片放入王水溶液里面浸泡去掉表面残存的金属。本申请方法腐蚀的硅片表面铜沉积量极少，所腐蚀的微纳米倒金字塔结构宏观均匀，微观表面光滑、缺陷少，因此在太阳能电池等领域具有广泛
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114808144 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210369051.6
(22)申请日 2022.04.08
(71)申请人 北京师范大学珠海校
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