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- 2023-05-17 发布于四川
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一种半导体结构,包括互连级介电层,包含介电材料并覆盖于基板上,以及金属互连结构,嵌入至互连级介电层中并包括渐变金属合金层以及金属填充材料部分。渐变金属合金层包含第一金属材料与第二金属材料的渐变金属合金。第二金属材料的原子浓度随着渐变金属合金与互连级介电层之间的界面的距离而增加。可通过同时进行或者周期性进行第一金属材料及第二金属材料的沉积来形成渐变金属合金层。第一金属材料可提供阻隔特性,而第二金属材料可提供粘合特性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823501 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210271007.1
(22)申请日 2022.03.18
(30)优先权数据
17/205,184 2021
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