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《传感器与检测技术》差动面积式电容传感器的静态特性实验报告--第1页 《传感器与检测技术》差动面积式电容传感器的静态特性实验报告 课程名称： 传感器与检测技术 实验类型： 验证型 实验项目名称：差动面积式电容传感器的静态特性 一、实验目的：了解差动变面积式电容传感器的原理及特性。 二、基本原理：电容传感器以各种类型的电容器作为传感元件，将被测物理量转 换成电容量的变化来实现测量的。电容传感器的输出是电容的变化量。利用电容 C=εA/d 关系式通过相应的结构和测量电路可以选择 ε、A、d 三个参数中，保 持 二个参数不变，而只改变其中一个参数，则可以有测干燥度（ε 变）、测位 移（d 变）、和测液位（A 变）等多种电容传感器，电容传感器极板形状分成 平板、圆板形和圆柱（圆筒）形。实验中为差动变面积式，传感器由两组定片和 一组动片组成。当安装于振动台上的动片上、下改变位置，与两组静片之间的重 叠面积发生变化，极间电容也发生相应的变化，成为差动电容。如将上层定片与 动片形成的电容定为 Cx ，下层定片与动片形成的电容定为 C ，当将 C 和 1 x2 x1 C 接入桥路作为相邻两臂时，桥路的输出电压与电容量的变化有关，即与振动 x2 台的位移有关。 三、需用器件与单元：电容传感器、电容放大器、低通滤波器、电压/频率表、 激振器 II、双踪示波器、电桥、振动平台、主、副电源。 四、实验步骤： 1、了解电容式传感器的结构及实验仪上的安装位置，熟悉实验面板上电容的 符号。安装好测微头，使电容动片大致处于静片中间位置。 2、开启主、副电源，差放输出短接接地调零后，电压/频率表打到 20V，关 闭主副电源。按图 4-2 接线，检查无误后开启主、副电源，调节测微头，使电 压/频率表示数为零。 3、每隔 0.1mm 向上（或下）转动测微头，记下此时测微头移动距离及电压/频 率表的读数，填入下表 4-1，直至电容动片与上（或下）静片覆盖面积最大。 电容输出电压与位移的关系 X （mm） V （mV） 电容输出电压与位移的关系(反向) X （mm） V （mV） 5、计算系统灵敏度 S。S=ΔV/ΔX （式中ΔV 为电压变化，ΔX 为相应的梁端 位移变化），并作出 V-X 关系曲线。 《传感器与检测技术》差动面积式电容传感器的静态特性实验报告--第1页 《传感器与检测技术》差动面积式电容传感器的静态特性实验报告--第2页 6、实验完毕，关闭主、副电源，各旋钮置初始位置。 五、注意事项：若在实验过程中，出现值无法调节，或转动测微头的时候值显 示很大并几乎不可调，则可观察是否机头上电容的上下级片相互接触到了，可 向左右两侧移动电容片的上/下级片使之不碰触。若在调零过程中，电压表中的 值，只能在正值或者负值中变化，则可调节电容片 C1 和 C2 上级片的高度以 及他们之间的距离。 实验五 半导体扩散硅压阻式压力传感器实验 一、实验目的：了解扩散硅压阻式压力传感器的工作原理和工作情况。 二、基本原理：压阻式传感器的工作机理是半导体应变片的压阻效应，在半导体 受力变形时会暂时改变晶体结构的对称性，因而改变了半导体的导电机理，是的 它的电阻率发生变化，这种物理现象称之为半导体的压阻效应。一般半导体一般 采用 N 型单晶硅为传感器的弹性元件，在它的上面直接蒸镀扩散出多个半导体 电阻应变薄膜（扩散出 P 型或 N 型电阻条）组成电桥。在压力（压强）作用 下弹性元件产生应力，半导体电阻应