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一种晶体生长单晶炉、坩埚及晶体生长方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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一种晶体生长单晶炉、坩埚及晶体生长方法.pdf

    本发明涉及半导体生产领域，公开了一种晶体生长单晶炉、坩埚及晶体生长方法，包括压力容器，压力容器内设置有加热器，加热器包括加热器外壳，所述加热器外壳内部中心位置设置炉芯组；所述炉芯组外套设有加热丝，所述加热丝与加热器外壳之间设置有第一控温组和第二控温组，所述第一控温组和第二控温组沿炉芯组的中心线对称设置；所述第一控温组包括若干个第一热电偶组，所述第二控温组包括若干个第二热电偶组；所述加热器外壳与炉芯组之间设置有氧化铝粉，所述第一热电偶组和第二热电偶组均位于炉芯组的外壁上，所述炉芯组的中部设置有容纳

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114808107 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210355085.X (22)申请日 2022.03.31 (71)申请人 威科赛乐微电子股份有限公司 地址

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