一种多传感器组合结构及其加工方法、组合传感器.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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一种多传感器组合结构及其加工方法、组合传感器.pdf

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本申请公开一种多传感器组合结构及其加工方法、组合传感器，涉及传感器技术领域。该加工方法包括提供一个单晶硅晶圆，在单晶硅晶圆上形成深腔，在深腔所在的一侧表面形成第一绝缘层；提供一个SOI晶圆，在SOI晶圆的顶硅层形成四个压敏电阻条以用于形成压敏式压力传感器结构；使四个压敏电阻条和深腔对应，将SOI晶圆的顶硅层和单晶硅晶圆的第一绝缘层键合，深腔被封闭并处于预设压力值；将SOI晶圆的衬底层进行减薄，减薄后，在SOI晶圆衬底层的与压敏电阻条对应的区域进行深硅刻蚀和金属沉积图形化以形成与四个压敏电阻条电连

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114858215 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210483866.7 (22)申请日 2022.05.05 (71)申请人中国科学院微电子研