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- 2023-05-18 发布于四川
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标准单元IC可以包括多个pMOS晶体管，每个pMOS晶体管包括pMOS晶体管漏极、pMOS晶体管源极和pMOS晶体管栅极。多个pMOS晶体管中的每个pMOS晶体管漏极和pMOS晶体管源极可以耦接到第一电压源。标准单元IC还可以包括多个nMOS晶体管，每个nMOS晶体管包括nMOS晶体管漏极、nMOS晶体管源极和nMOS晶体管栅极。多个nMOS晶体管中的每个nMOS晶体管漏极和nMOS晶体管源极耦接到比第一电压源低的第二电压源。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109478550 A
(43)申请公布日
2019.03.15
(21)申请号 20178
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