半导体连接结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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半导体连接结构及其制造方法.pdf

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本发明提供一种半导体连接结构及其制造方法。此半导体连接结构包括具有阵列区的基板、第一沟槽、金属线、功函数层及接触结构。阵列区包括中心区域及围绕中心区域的边缘区域。第一沟槽形成于基板中，且沿着第一方向自中心区域延伸至边缘区域。第一沟槽在中心区域中具有第一部分，且在边缘区域中具有较宽的第二部分。金属线及功函数层形成于第一沟槽中。接触结构形成于边缘区域的第一沟槽中接触结构位于金属线之上且直接接触金属线。接触结构的底部被功函数层围绕。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114864580 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202110147466.4 (22)申请日 2021.02.03 (71)申请人华邦电子股份有限公司地址中国台