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量子级联激光器及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-05-18 发布于四川
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量子级联激光器及其制作方法.pdf

    本发明提供了一种量子级联激光器及其制作方法，应用于半导体激光器技术领域，包括：光发射区域，用于发射激光，滤波区域，用于对该激光进行光束整形，并输出整形后的激光，该滤波区域包括第一光子晶体和第二光子晶体，该第一光子晶体和该第二光子晶体的结构相同，且该第一光子晶体和该第二光子晶体之间存在一相移区，在实现大面积面发射的同时，降低远场发散角，优化光束形状，提高发射功率。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116131101 A (43)申请公布日 2023.05.16 (21)申请号 202310350414.6 (22)申请日 2023.04.04 (71)申请人 中国科学院半导体研究所 地址 1

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