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制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-05-18 发布于四川
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制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置.pdf

    一种制造鳍式场效晶体管的方法及半导体装置。制造鳍式场效晶体管的方法包含在基板上形成鳍式结构，形成包覆鳍式结构的虚设栅极结构，在形成该虚设栅极结构之后，在鳍式结构上方沉积层间介电(ILD)层，移除虚设栅极结构以暴露鳍式结构的一部分，当量测的鳍式结构的宽度超过预定阈值宽度值时，对经暴露的鳍式结构的该部分执行蚀刻制程，以减小鳍式结构的该部分的宽度。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114864697 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210619185.9 (51)Int.Cl.

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