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本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下至上依次包括位于衬底上的底部缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，所述第二型半导体层从下至上依次包括第二型阻挡层、第二型限制层、应变缓冲层、第二型电流扩展层以及第二型欧姆接触层，且所述应变缓冲层为(AlxGa1‑x)0.5In0.5P、GaP和(AlyGa1‑y)0.5In0.5P组成的结构层，其中0.10≤x≤0.50，0.05≤y≤0.10。本发明通过生长应变缓冲层可以提高外延结构的晶体质量，进而降低L
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114864769 A
(43)申请公布日 2022.08.05
(21)申请号 202210451043.6 H01L 33/30 (2010.01)
(22)申请日 2022.04.
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