套刻标记和套刻误差的测量方法.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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套刻标记和套刻误差的测量方法.pdf

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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种套刻标记和套刻误差的测量方法，至少能够提高套刻标记的质量，从而提高套刻误差的量测准确度，以提高产品的良率。套刻标记包括第一图案层和第二图案层，所述第一图案层先于所述第二图案层在所述衬底上形成，且二者在所述衬底上的正投影相互错开；其中，所述第一图案层和所述第二图案层均包括多个间隔设置的标记图案和设于相邻所述标记图案之间的多个间隔的噪音图案；所述噪音图案的特征尺寸小于所述标记图案的特征尺寸；所述第一图案层的标记图案和所述第二图案层的标记图案能够相配合以用于获取套刻

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114864549 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210457777.5 (22)申请日 2022.04.27 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 230