原创力文档- 16
- 0
- 约1.4万字
- 约 12页
- 2023-05-18 发布于四川
- 举报
一种增强型N沟道和P沟道GaN器件集成结构，包括衬底，在衬底上依次设铝氮成核层、铝氮镓缓冲层、氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层，铝镓氮势垒层和氮化镓沟道层被隔离层分割；隔离层一侧设有P沟道器件，包括第一P型氮化镓层，在第一P型氮化镓层上依次设第一氮化镓隔离层和第一P+型氮化镓层，在第一P+型氮化镓层上设第一源、栅极和第一漏极，第一栅极陷入第一P+型氮化镓层，其间设有栅极介质层；在隔离层的另一侧设有N沟道器件，包括第二源极、第二P型氮化镓层和第二漏极，第二源、漏极分别位于第二P型氮化镓层的两侧，在第二P
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114843267 A
(43)申请公布日 2022.08.02
(21)申请号 202210643717.2 H01L 29/778 (2006.01)
(22)申请日 2022.06
文档评论（0）