半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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本申请提供半导体结构及其形成方法，所述结构包括：基底，所述基底包括堆叠的第一晶圆和第二晶圆以及贯穿所述第二晶圆并电连接所述第一晶圆中的第一再布线层的硅通孔，所述第二晶圆中形成有第二金属连线层；阻挡层，位于所述第二晶圆表面；介质层，位于所述阻挡层表面；第二再布线层，位于所述阻挡层和所述介质层中，所述第二再布线层的第一部分电连接所述硅通孔，所述第二再布线层的第二部分位于所述第二金属连线层上方；第二通孔，位于所述第二再布线层的第二部分下方且电连接所述第二再布线层的第二部分和所述第二金属连线层。本申请所

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114914193 A (43)申请公布日 2022.08.16 (21)申请号 202110168900.7 (22)申请日 2021.02.07 (71)申请人中芯国际集成电路制造（北京）有限