材料物理薄膜物理.pptxVIP

材料物理薄膜物理;6.1 引言; 6.1 薄膜定义;信息存储技术;但作为一门科学与技术，是在近30年信息时代到来之后;;日常生活;6.1 薄膜的定义;6.1 薄膜的定义;Langmuir-Blodgett films; 6.1 薄膜的定义;Langmuir-Blodgett film;6.1 LB膜;LB膜的历史;1935年K.Blodgett将Langmuir膜转移到固体衬底上，成功地制备出第一个单分子层积累的多层膜，即LB膜。;;; X型LB膜中每层分子的亲油基都指向基片表面。Y型膜中成膜分子的亲水基与亲水基相连，亲油基与亲油基相连。Z型膜与x型相反，成膜分子的亲水基都指向基片表面。;LB膜的优点：;LB膜的主要缺点：;; 自组装膜（Self-assembled membranes）;SAMFET;6.1 薄膜的定义;自组装原理;6.2 薄膜材料的特点;6.2 薄膜材料的特点;6.2 薄膜材料的特点;6.2 薄膜材料的特点;6.2 薄膜材料的特点;6.2 薄膜材料的特点;——超晶格的定义;6.3 薄膜的特性;1.薄膜所用原料少，容易大面积化，而且可以曲面加工。 例：金箔、饰品、太阳能电池，GaN，SiC，Diamond;6.3 薄膜的特性;DLC coated a magnetic thin-film disk;photoluminescence spectra of a series of GaN/AlxGa1-xN double heterostructures (DH’s) ;改变缺陷能级上的电子分布?影响光电过程;表面和界面效应：表面态和界面态;;量子霍尔效应;限域效应;通过退火控制带隙;二维体系中的电子态密度;Tc (black solid dots) and the density of states (red stars) as a function of Pb film thickness;耦合效应;MgxZn1-xO: 体相中Mg的平衡固溶度为0.04, PLD法生长的薄膜中，x可0~1。 a-Si1-xNx:H;4.容易实现多层膜;静电力: ;6.薄膜的内应力;7.通常存在大量的缺陷;6.4 薄膜的分类;（1）半导体器件与集成电路中的导电材料与 介质薄膜材料Al, Cr, Pt, Au, Cu, 多晶硅， 硅化物，SiO2,Si3N4，Al2O3 （2）超导薄膜 YBaCuO，BiSrCaCuO， TlBaCuO等高温超导材料 （3）光电子器件中使用的功能薄膜 GaAs/GaAlAs、HgTe/CdTe、a-Si:H a-SiGe:H, a-SiC:H等晶态和非晶态薄膜;（4）薄膜传感器 可燃性气体传感器SnO2， 氧敏传感器ZrO2, 热敏传感器Pt, Ni, SiC, 离子敏传感器Si3N4,Ta2O5 （5）薄膜电阻、电容、阻容网络与混合集成 电路，低电阻率：Ni-Cr， 高电阻率:Cr-SiO, 薄膜电容：Zn，Al （6）薄膜太阳能电池: 非晶硅、CuInSe2, CdSe;（7）平板显示器件： 液晶显示、等离子体显示、电致发光显 示ITO透明电极，ZnS:Mn发光膜 （8）ZnO、Ta2O3、AlN表面声波元件 （9）磁记录薄膜与薄膜磁头，CoCrTa、 CoCrNi，FeSiAl、巨磁阻材料 （10）静电复印材料Se-Te、SeTeAs、a-Si;（1）减反射膜：相机、摄像机、投影仪、望远镜等MgF2，SiO2，ZrO2，Al2O3 红外设备镜头上的ZnS，CeO2，SiO （2）反射膜：太阳能接收器、镀膜反射镜、激光器用的高反射率膜 （3）分光镜和滤波片：如彩色扩印设备上 （4）镀膜玻璃：建筑、汽车隔热 （5）光存储薄膜：光盘、唱片 Te81Ge15S2Sb2，TbFeCo （6）集成光学元件与光波导中的介质与半导体薄膜;（1）硬质膜，刀具、磨具表面的TiN，TiC， 金刚石、C3N4，c-BN （2）耐腐蚀膜，非晶镍膜，不锈钢膜，抗 热腐蚀的NiCrAlY等 （3）润滑膜 MoS2，MoS2-Au，MoS2-Ni， Au，Ag，Pb;（1）新型半导体薄膜：GaN，SiC， ZnO，Diamond，GeSi，a-Si:H 改进工艺，降低成本，研