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- 2023-05-23 发布于四川
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本发明属于半导体技术领域，公开了一种紫外光电二极管及其制备方法。所述紫外光电二极管，包括以下结构：衬底；GaN层，设置于所述衬底的上表面；Ti3C2肖特基接触层和欧姆接触层，相对设置于所述GaN层上表面的两侧；金属触点层，设置于所述Ti3C2肖特基接触层的上表面。所述紫外光电二极管具有优异的紫外光探测性能，响应度率大，比探测率高，响应速度快，且具有高电流开关比；所述制备方法无需复杂的金属沉积或溅射工艺，对半导体表面无损伤，工艺简单。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112164732 A
(43)申请公布日 2021.01.01
(21)申请号 202010968434.6
(22)申请日 2020.09.15
(71)申请人 五邑
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