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- 2023-05-23 发布于四川
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本申请实施例公开了一种相变存储器及其制造方法，所述方法包括：形成半导体结构，所述半导体结构包括多个结构相同且彼此独立的相变存储阵列，其中，所述相变存储阵列具有相变存储层；选择所述半导体结构中的至少一个所述相变存储阵列作为第一部分；对所述第一部分的相变存储层进行第一离子注入，以使所述第一部分获得第一存储性能，所述第一存储性能和所述半导体结构中除所述第一部分以外的其他相变存储阵列的存储性能不同；其中，所述存储性能为与存储需求匹配的读写速度和/或数据保持力。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112164748 A
(43)申请公布日 2021.01.01
(21)申请号 202010980851.2
(22)申请日 2020.09.17
(71)申请人 长江先进存储产业创新中心有限责
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