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- 2023-05-23 发布于四川
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本发明提供一种半导体器件的制备方法、半导体结构，在衬底上形成氮化钛层，对氮化钛层进行氮化处理，以使得氮化钛层在(111)晶面的末端键为N键，而后在氮化钛层上形成导电层。这样，对氮化钛层进行氮化处理，有助于带出氮化钛层中的缺陷，使得形成的氮化钛层中的缺陷更少，致密性和连续性较高。并且，由于氮化处理之后，氮化钛层的结晶取向趋向于在(111)晶面的末端形成N键，有利于在氮化钛层上生长结构致密的导电层，进而有利于提高器件结构和性能的可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112164697 A
(43)申请公布日 2021.01.01
(21)申请号 202011041418.9
(22)申请日 2020.09.28
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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