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一种嵌入多纳米片的碲化铬薄膜、其制备方法及应用.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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一种嵌入多纳米片的碲化铬薄膜、其制备方法及应用.pdf

    本发明提供了一种嵌入多纳米片的碲化铬薄膜、其制备方法及应用，所述碲化铬薄膜通过控制分子束外延技术中铬、碲、铋和铅源快门的开关，在嵌入Bi纳米片的Cr2Te3薄膜上继续生长嵌入Pb纳米片的Cr2Te3薄膜，该方法能够调控嵌入具有强自旋轨道耦合的金属纳米片的Cr2Te3薄膜出现拓扑霍尔效应的温度条件，能够有效地调节Tc，使Tc位于大约在170K‑180K之间，并且提高拓扑霍尔效应出现的温度至115K以上。所述嵌入多纳米片的碲化铬薄膜可用于磁性薄膜。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112160026 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202010868857.0 (22)申请日 2020.08.25 (71)申请人 江苏大学

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