面板、晶体管和电子装置及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-24 发布于四川
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面板、晶体管和电子装置及其形成方法.pdf

本发明涉及面板、晶体管和电子装置及其形成方法。面板包括:衬底;半导体层,设置在衬底上,包括氧化物半导体或低温多晶硅;层间绝缘膜,位于衬底和半导体层上;钝化层,在层间绝缘膜上;涂覆层,在钝化层上;发光层,在涂覆层上;封装层,在发光层上,封装层包括至少一个辅助封装层,辅助封装层具有包括氢的硅氮化物层、包括氢的硅氧化物层和包括氢的氮硅氧化物层,层间绝缘膜、钝化层和涂覆层中的至少一个是氢捕获层,氢捕获层包括:第一层,包括硅氮化物;第二层,具有与第一层不同的组分并接触第一层的一个表面;及第三层,其厚度大于

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111244131 A (43)申请公布日 2020.06.05 (21)申请号 20191

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