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半导体设备及半导体结构的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-24 发布于四川
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半导体设备及半导体结构的制备方法.pdf

    本发明涉及一种半导体设备及半导体结构的制备方法，半导体设备包括：对晶圆进行处理的工艺腔室；进气装置，用于向工艺腔室内通入气体；气体分配盘，位于晶圆上方，且位于气体的流动路径上；至少部分气体穿过气体分配盘流向晶圆的表面。上述半导体设备，气体分配盘能够使得气体在晶圆表面的流速均匀，使得晶圆表面的温度均匀，减小晶圆表面中心区域和边缘区域的温度差，从而使得光刻形成的图形结构的线宽均匀。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113467198 A (43)申请公布日 2021.10.01 (21)申请号 20201

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