外延工艺设计知识培训讲座.ppt

3.7 外延工艺;材料;CVD法的步骤： 1. 参加反应的气体的混合物被输运到沉积区 2.反应物分子由主气流扩散到衬底的表面 3.反应物分子吸附在衬底表面上 4.吸附物分子间或吸附分子与气体分子间发生化学反应，生成硅原子和化学反应副产物，硅原子沿衬底表面迁移并结合进入晶体点阵。 5.反应副产物分子从衬底表面解吸 6.副产物分子由衬底表面外扩散到主气流中，然后排出淀积区 ;;3.7.1 外延生长原理 1 气相外延 外延是指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术，新单晶的晶向取决于衬底，由衬底向外外延而成。 外延方法很多，硅半导体器件中通常采用硅的气相外延法。其过程是：四氯化硅（SiCl4)或硅烷（SiH4)，在加热的硅衬底表面与氢发生反应或自身发生热分解，还原成硅，并以单晶形式沉积在硅衬底表面。;2外延生长设备;外延系统应满足如下要求： (1)气密性好 (2)温度均匀且精确可控，能保证衬底均匀地升温与降温； (3)气流均匀分布 (4)反应剂与掺杂计的浓度及流量精确可控 (5)管道、阀门用不锈钢制造，并保证连接可靠。 (6)要使用多个流量计使反应剂与掺杂计的浓度及流量精确可控。 (7)石墨基座由高纯墨制成。加热采用射频感应加热方式。 ;工艺（SiCl4)： 1、处理硅片 2、基座的HCl腐蚀去硅程序 （1）N2预冲洗 （2）H2预冲洗 （3）升温（两步） （4）HCl排空、腐蚀 （5）H2冲洗 （6）N2冲洗 3、外延生长 （1）N2预冲洗 （2）H2预冲洗;（3）升温（两步） （4）HCl排空、抛光 （5）H2清洗 （6）外延生长 （7）H2清洗-降低自掺杂效应 （8）降温 （9）N2清洗 ;3.7.3 介质材料CVD 1、SiO2 用途：在大规模集成电路的制造技术中CVD法SiO2的使用和氧化法SiO2互为补充。 采用下列两种反应： 后者已TEOS为主的SiO2LPCVD，阶梯覆盖能力甚佳，应用较广。 ;2、磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG) 磷硅玻璃（PSG）最大的用途是作为半导体元件的保护层。 前者用常压CVD，温度约为400°C，外观较纯SiO2的结果来得平滑。其玻态转变温度亦较SiO2得低。 后者用PECVD法 硼磷硅玻璃（BPSG)就是在上述的PSG内，再加入少量硼的一种同时含硼与磷的二氧化硅。 BPSG广泛应用于尚未进行金??沉积前的表面平坦化介质材料。;3、氮化硅 氮化硅的用处：场氧化掩蔽膜、钝化层 4、多晶硅CVD ;3.7.4 金属材料CVD; CVD反应室是整个CVD设备的心脏 任何一个 CVD系统均包含一个反应室、一组气体传输系统、排气系统及工艺控制系统;低压LPCVD;低压化学气相淀积LPCVD反应器;等离子体化学气相淀积PECVD反应器;;资料：扩展的PECVD制造大面积太阳能电池;CVD的安全问题 ;;高密度等离子体化学气相沉积设备??;多功能等离子体CVD设备（Plasma Enhanced CVD）;;;MOCVD1;MOCVD2;MOCVD3;MOCVD4;;3.7.5 外延新技术;分子束外延;;;四川石化乙二醇装置;乙二醇装置第二周工作总结;乙二醇装置第二周工作计划;2011-07-10;乙二醇反应;浓缩及脱水;MEG精制;MEG回收;DEG吸收;TEG吸收;环氧乙烷化学性质及用途;健康危害;急救及防护措施;危险特性;泄露应急处理 ;消防措施;乙二醇装置第一周工作总结;乙二醇装置第二周工作计划;乙烯化学性质及用途;危险性概述;急救及防护措施;消防措施;四川石化乙二醇装置简介;装置能力;主要原料;催化剂;脱硫催化剂;致稳剂;调节剂;CO2脱除溶剂;MEG 精制树脂;工艺技术; 工艺装置组成;设备与机械;环氧乙烷反应器(R-101A/B);乙二醇反应器R-401;氧气混合气（M-101）;反应器进料/产品换热器(E-101A/B);循环气压缩机K-201;四川石化乙二醇装置;进料混合;氧化反应;冷却;吸收;脱除CO2;水分离;Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipisicing elit, sed do eiusmod tempor incididunt ut labore et dolore magna aliqua. Ut enim ad minim veniam, quis nostrud exercitation ullamco laboris nisi ut aliquip ex ea commodo consequat. Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipisicing elit, sed do eiusmod tempor incididunt