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本发明提供一种基于自旋轨道矩的磁性存储器件及SOT‑MRAM存储单元。所述磁性存储器件包括：自旋轨道矩提供线、位于所述自旋轨道矩提供线一侧表面的磁性隧道结以及位于所述自旋轨道矩提供线另一侧表面的介质层，其中，所述磁性隧道结的自由层一侧靠近所述自旋轨道矩提供线，所述自旋轨道矩提供线的水平长度大于所述磁性隧道结的特征长度；所述介质层中设有垂直方向的贯穿所述介质层的导电孔，所述导电孔在水平方向上的位置与所述磁性隧道结的位置相对应，用于提供一个垂直于所述自旋轨道矩提供线的导电路径。本发明能够减小读取过程
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112186098 A
(43)申请公布日
2021.01.05
(21)申请号 20191
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