非易失性存储器及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-24 发布于四川
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本发明提供一种非易失性存储器及其制造方法,所述非易失性存储器具有存储单元。存储单元包括源极区与漏极区、选择栅极、虚拟选择栅极、浮置栅极、抹除栅极、控制栅极。选择栅极设置于源极区与漏极区之间的基底上。浮置栅极设置于选择栅极与源极区之间的基底上,且浮置栅极的顶部两侧具有二对称的转角部。浮置栅极的高度高于选择栅极与虚拟选择栅极的高度,抹除栅极设置于源极区上,且抹除栅极包覆浮置栅极的源极侧的转角部。控制栅极设置于抹除栅极与浮置栅极上。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111180447 A (43)申请公布日 2020.05.19 (21)申请号 20191

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