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本发明属于纳米材料制备技术领域，具体涉及高产率CuInP2S6量子点的制备，为开发一种能够高产率高通量制备CuInP2S6低维材料的方法，本发明提供一种高产率CuInP2S6量子点的制备方法，将经研磨后的CuInP2S6晶体与锂的烷基衍生物混合均匀，进行静置处理；静置后的产物经清洗后与水混匀，进行超声分散处理；对超声分散后的产物进行离心收集上清液，上清液兑入无水乙醇后离心收集沉淀，沉淀经清洗后再次兑入无水乙醇，离心收集沉淀，最后将沉淀进行干燥得到CuInP2S6量子点。采用本发明方法生产CuIn
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112195024 A
(43)申请公布日 2021.01.08
(21)申请号 202011071766.0
(22)申请日 2020.10.09
(71)申请人 中山大
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