一种选择性发射极制备方法、太阳能电池及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-24 发布于四川
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一种选择性发射极制备方法、太阳能电池及其制备方法.pdf

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本申请公开了选择性发射极制备方法，包括获得N型硅片，并在N型硅片的正面沉积掩膜层；在掩膜层与金属栅线对应的位置形成窗口；对具有窗口的N型硅片进行扩散处理，以在具有窗口的N型硅片对应窗口的位置形成重掺杂区；去除掩膜层；对去除掩膜层后的N型硅片进行扩散处理，以在去除掩膜层后的N型硅片的正面形成轻掺杂区，得到选择性发射极。本申请通过形成掩膜层和两次扩散处理在N型硅片表面形成选择性发射极，重掺杂区方阻低，金属‑半导体接触电阻小，轻掺杂区的方阻高，复合速率小，短波响应好，使得太阳能电池的效率提升，且整个制

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112186074 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202011058308.3 (22)申请日 2020.09.30 (71)申请人浙江正泰太阳能科技有限公司

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