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本发明提供了一种三维存储器结构及其制备方法，制备方法包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上表面形成零层沟槽；形成多晶硅牺牲层并填充零层沟槽；在多晶硅牺牲层上形成堆叠结构并形成沟道结构；通过干法刻蚀在堆叠结构中形成栅线隙沟槽，干法刻蚀停止于多晶硅牺牲层上；去除多晶硅牺牲层并形成研磨停止材料层；形成栅线隙结构和上层金属连接结构；以研磨停止材料层作为研磨停止层，对半导体衬底下表面进行研磨。本发明通过在零层沟槽中填充多晶硅牺牲层作为栅线隙沟槽刻蚀时的刻蚀停止层，防止不同区域因膜层结构不同而损伤底部
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112185969 A
(43)申请公布日 2021.01.05
(21)申请号 202011058911.1 H01L 27/11582 (2017.01)
(22)申请日
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