原创力文档- 1
- 0
- 约1.39万字
- 约 12页
- 2023-05-24 发布于四川
- 举报
本发明公开一种无回滞效应硅控整流器型ESD保护结构及其实现方法，该结构包括：半导体衬底(80)；生成于半导体衬底的N阱(60)和P阱(70)；高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)置于N阱(60)上部，高浓度N型掺杂(24)、高浓度P型掺杂(26)置于P阱(70)上部，高浓度P型掺杂(22)置于N阱(60)与P阱(70)分界处上部,所述高浓度P型掺杂(20)、高浓度N型掺杂(28)间为N阱(60)的一部分且间距为S，高浓度N型掺杂(28)与高浓度P型掺杂(22)之间为N阱(60)的一部分
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110649016 A
(43)申请公布日
2020.01.03
(21)申请号 20191
文档评论（0）