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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdfVIP

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  • 2023-05-25 发布于四川
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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdf

    本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；所述电子阻挡层包括依次层叠于有源层上的MoOx层和WSe2层，其中，x为1.8~2.5。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116154066 A (43)申请公布日 2023.05.23 (21)申请号 202310416794.9 (22)申请日 2023.04.19 (71)申请人 江西兆驰半导体有

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