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Poly 电阻知识简介 Poly 电阻知识简介 Poly 电阻是CMOS 或者BICMOS 中特有的电阻类型,轻搀杂Poly 电阻方块电阻数在几百到几千之间,重搀杂 电阻电阻数在25—50 之间.一般是使用NSD 或者 PSD 进行搀杂.而不用其他 N 或 P 型层次. Poly 电阻的大小不仅仅和搀杂浓度有关,还和晶格方向有关.在晶体表面,晶格方向比较杂乱一点,所以电阻也比晶格比 较整齐的内部要大,如果 Poly 电阻比较细的时候,单位电阻较大.尤其对于轻搀杂的Poly 电阻. 各种不同的Poly 电阻温度系数不同,轻搀杂的poly 电阻会出现负温度系数,而重搀杂的poly 电阻则肯定为正温度系数. 例如一些方块电阻数在2000左右的poly 电阻,温度系数会为负.所以会出现一个温度系数几乎为零的搀杂浓度,但是这 样的浓度很难控制.大概在方块电阻数为200左右的地方.一般工艺的偏差会导致难以控制.不过我们要尽量将温度系数 控制在250ppm/摄氏度. Poly 电阻在电阻头的地方一般都是经过重搀杂的,这样才能减小接触电阻.所以一般Poly 电阻都是由电阻头和电阻身体 部分组成.一般工艺下poly 电阻的宽度偏差在 10%,所以poly 电阻的计算时,要注意电阻的修正参数. Poly 电阻最好画在场氧上,这样可以减小衬底和它之间的电容,同时可以减小其他因素造成的电阻偏差.一般可以选用上 层poly 做poly 电阻,在bicmos 中,可以在poly 电阻下面做deep-N+.这样可以增加poly 电阻下面的氧化层.不过要 注意deep-N+一定要超出poly 电阻的边缘几微米. Poly 电阻不能适应瞬态电流变化,因为poly 电阻下面是厚氧化层,导热效果很差,并且poly 电阻在一定温度下,晶格会 产生变化,从而导致电阻系数变化很大.所以要将 poly 电阻使用在合适的地方. 不是所有bicmos 工艺可以提供合适的电阻,因为poly 做栅极的时候会通过重搀杂导致poly 电阻系数很低,如果没有 特殊的层次进行分辨,那么poly 层就会因为电阻系数太低而不适合做电阻.尤其在silicided 工艺下,poly 电阻方块电阻 数会降到2 欧姆左右,所以必须使用如 N-Well 电阻等其他电阻.或者通过一些层次将需要重搀杂和silicided 的地方与 不需要的地方区分开. Poly 电阻是非常好的电阻选择,因为poly 电阻偏差小,温度系数可以控制,同时不需要单独的岛.所以通常情况下,大家 都会选择poly 电阻.