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用于制造改进的NIR CMOS传感器的方法.pdfVIP

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  • 2023-05-25 发布于四川
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用于制造改进的NIR CMOS传感器的方法.pdf

    本发明涉及一种用于制造用于近红外探测的CMOS图像传感器的方法。所述方法包括：a)提供硅晶片；b)在硅晶片的正面的一部分中执行锗注入；c)执行退火以引起注入的锗物质的热扩散，从而在暴露在硅晶片的正面上的第一硅锗区域中形成硅锗合金晶格；d)执行步骤b)和c)一次或多次；以及e)在从硅晶片的正面向下延伸的第一硅锗区域的部分中形成第一光电探测器有源区，其中所述第一光电探测器有源区对近红外和可见光辐射二者都敏感。该方法的特征在于所述第一光电探测器有源区也形成在硅晶片的在第一硅锗区域的所述部分下方延伸的部

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 108886044 A (43)申请公布日 2018.11.23 (21)申请号 20168

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