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本发明提供一种单光子探测器及制备方法，包括：衬底及形成于所述衬底上的超导线，所述超导线包括多个直线部及连接直线部的拐角部；其中，所述超导线的拐角部的厚度大于直线部的厚度。本发明的单光子探测器及制备方法将超导线拐角部的厚度加厚(大于直线部厚度)，从而提升拐角区域的临界电流。尽管超导线拐角部仍然存在“电流拥挤效应”，但因为拐角区域整体的临界电流提升至高于直线部的临界电流水平，拐角区域不再是限制整体超导线临界电流的瓶颈，从而达到抑制拐角区域“电流拥挤效应”所带来的不良影响的目的。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112229510 A
(43)申请公布日 2021.01.15
(21)申请号 202011101934.6
(22)申请日 2020.10.15
(71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术
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