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一种碳化硅半导体器件包括漂移层、多个第一掺杂区、多个第二掺杂区和金属层。漂移层具有第一导电性以及表面，主动区被定义在表面中。第一掺杂区具有第二导电性，并且规则布置在主动区中。第一掺杂区具有第一最小宽度和第一面积，并且彼此之间以第一最小间距相互隔开。第二掺杂区具有第二导电性，并且规则布置在主动区之中。第二掺杂区具有大于第一最小宽度的第二最小宽度以及大于第一面积的第二面积，且第二掺杂区与第一掺杂区之间以小于第一最小间距的第二最小间距相互隔开。金属层设置在漂移层的表面上，且与漂移层形成肖特基势垒接触。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112216746 A
(43)申请公布日 2021.01.12
(21)申请号 202010641221.2
(22)申请日 2020.07.06
(30)优先权数据
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