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场效应管
3.1 MO
S场效应管
3.2结型场效应管
3.3场效管应用原理
E1
F
-「
, .三反 .
第一反 其:Ii ,
第 十一 章J 运算放大器
概 这
一
E 场效应管是另 种具有正向受控作用的半导体器件。
1日
吁 它体积小、工艺简单,器件特性便于控制,是目前制
造大规模集成电路的主要有源器件。
场效应管分类s J MOS场效应管
L 结型场效应管
场效应管与三极管主要区 s
·场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。
斗兰 卡 ·场效应管是单极型器件 〉。
〈三极管是双极型器件
m气页 , 其:Ii , .三反 .
第 十一 章J 运算放大器
1 MOS场效应
H月 ( N沟道 (NMOS)
增强型(EMOS)」
L P沟道 (PMOS)
MOSFET
rN沟道(NMOS)
耗尽型(DMOS汁
L p沟道 (PMOS)
N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似, 不同之处
仅在于它们形成电流的载流子性质不同, 因此导致加
在各极上的电压极性相反。
44. E1
F
-
「
-
第三反 , 其:Ii , .三反 .
第十 一 章J运算放大器
3. 1.
1
增强型MOS场效应,e
ON沟道EMOSFET结构示意图
H月
金属栅极 翩
衬底极 --
二
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