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本发明提供了一种降低钝化层应力的方法及钝化层应力缓冲结构。降低钝化层应力的方法包括提供设计版图，用于定义一带状金属层的结构，所述带状金属层包括至少一个拐角区域，拐角区域内包括一个大于180°的第一拐角和一个小于180°的第二拐角，且第一拐角和第二拐角相加为360°；修改设计版图中的第一拐角和第二拐角，以在第一拐角和第二拐角处形成应力缓冲结构；根据所述设计版图在一衬底的表面依次形成金属层和钝化层，所述钝化层的第一拐角和第二拐角处形成有钝化层应力缓冲结构。本发明提供的降低钝化层应力的方法通过改变带状
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112234028 A
(43)申请公布日 2021.01.15
(21)申请号 202011164359.4
(22)申请日 2020.10.27
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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