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一种解决单层陶瓷电容器划片后毛刺问题的工艺,属于单层陶瓷电容器制造领域。方案如下:采用磁控溅射加工工艺,在瓷片表面形成一组导电且具有结合力的多层金属层;在产品表面均匀涂一层胶层做保护;使用掩膜板进行图形曝光,使切割道区域受光,发生化学反应;受光位置在显影液里发生化学反应,使其脱落,形成图形;在没有受光位置的基片表面进行电镀金,使其厚度达到2.5um以上;去掉切割道表层的保护胶;用刀片进行切割加工,整个切割道是在刀片路径内。有益效果:本发明通过更改工艺路线,增加光刻工艺,产生的毛刺极小,完全可以被
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112259377 A
(43)申请公布日 2021.01.22
(21)申请号 202010975030.X
(22)申请日 2020.09.16
(71)申请人 大连达利凯普科技股份公司
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