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本发明实施例涉及一种半导体激光器(1)，其包括半导体层序列(2)，在半导体层序列中存在用于产生激光辐射的有源区(22)。脊形波导(3)构成为从半导体层序列(2)向外的凸起部。电接触层(5)直接位于脊形波导(3)上。金属的电连接区域(6)直接位于接触层(5)上并且被设计用于外部电连接半导体激光器(1)。金属的断裂涂层(7)直接延伸直至靠紧半导体层序列(2)的棱面(27)并且位于脊形波导(3)上。断裂涂层(7)没有电学功能并且相比于脊形波导(3)区域中的半导体层序列(2)具有对于断裂波的更低的声速。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112219325 A
(43)申请公布日 2021.01.12
(21)申请号 201980037669.9 穆罕默德 ·阿里
(22)申请日 2019.0
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