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提供绝缘层形成方法，在由热硬化树脂在晶片上形成绝缘层的情况下，不在第1布线层和第2布线层的连接部分形成氧化膜而形成绝缘层。绝缘层形成方法在上表面上形成有第1布线层的晶片的第1布线层上形成绝缘层，包含如下工序：在形成于晶片的上表面的第1布线层的上表面上和晶片的上表面上涂布感光性的热硬化树脂；对热硬化树脂的规定的区域照射光而使区域变质；在将用于使通过变质工序而变质的区域的变质树脂溶解的药液提供至变质树脂而使变质树脂溶解之后，将清洗水提供至晶片而将变质树脂去除；将实施了去除工序的晶片收纳于能够密闭的室
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112216652 A
(43)申请公布日
2021.01.12
(21)申请号 20201
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